Spatial effects in the 800keV 3He implantation in W followed by isochronal annealing at 900K

A. de Backer 1 C. Ortiz 2 C. Domain 3 M.F. Barthe 4 C.S. Becquart 5
1 CCFE - Culham Centre for Fusion Energy
2 PHASE - Laboratoire de PHysique et Applications des SEmi-conducteurs
3 EDF - EDF
4 CEMHTI - Conditions Extrêmes et Matériaux : Haute Température et Irradiation
5 UMET - Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207
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https://hal-edf.archives-ouvertes.fr/hal-01828088
Contributeur : Christophe Domain <>
Soumis le : mardi 3 juillet 2018 - 07:24:57
Dernière modification le : mercredi 31 juillet 2019 - 16:56:02

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EDF | UNIV-LILLE | INRA | INC-CNRS | UNIV-ORLEANS | CEMHTI

Citation

A. de Backer, C. Ortiz, C. Domain, M.F. Barthe, C.S. Becquart. Spatial effects in the 800keV 3He implantation in W followed by isochronal annealing at 900K. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Elsevier, 2013, 303, pp.87 - 90. ⟨10.1016/j.nimb.2012.10.025⟩. ⟨hal-01828088⟩

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